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本发明提供一种能精度良好地检测腔室有无泄漏的衬底处理装置，及衬底处理装置的泄漏判定方法。本发明是一种将收容在腔室的衬底加热的衬底处理装置的泄漏判定方法。所述泄漏判定方法具备：加热步骤，在腔室(6)内对半导体晶圆(W)进行加热处理；搬出步骤，在加热步骤之后，从腔室(6)搬出半导体晶圆(W)；温度测量步骤，测量腔室(6)内的氛围温度；及泄漏判定步骤(步骤S5)，进行腔室(6)的泄漏判定处理。将半导体晶圆(W)从腔室(6)搬出后，等待到氛围温度降温到规定的待机指定温度为止，在氛围温度达到待机指定温度时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672889A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311146011.6
(22)申请日2023.09.06
(30)优先权数据
2022-142886202
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