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本申请提供的MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备，MOSFET封装结构通过将MOSFET芯片的第一表面贴装在载体芯片的安装区域内，MOSFET芯片与载体芯片之间的互连距离短，寄生电感小，易于实现高频率驱动。并且，通过在MOSFET芯片的第二表面贴装导电件形成MOSFET组件，MOSFET芯片上的输入垫、输出垫及接地垫为大电流通过区域，通过设置三个导电件分别与输入垫、输出垫及接地垫电连接，MOSFET芯片的大电流通过区域通过导电件与电路板互连，导电件不仅具有高载流能力，而且，还可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672977A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211008429.6H01L23/488(2006.01)
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