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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构的形成方法，包括：在部分衬底上形成复合层和横跨复合层的伪栅极结构，伪栅极结构位于复合层部分顶部和部分侧壁表面，伪栅极结构两侧的复合层和衬底内具有凹槽，凹槽暴露出的第一牺牲层侧壁相对沟道层侧壁凹陷，凹槽包括位于衬底内的第一区和位于复合层内的第二区；在第二区侧壁形成初始内侧墙，初始内侧墙位于沟道层侧壁表面；在第一区的侧壁表面和底部表面形成第二牺牲层；形成第二牺牲层之后，刻蚀初始内侧墙，直到暴露出沟道层侧壁，在第一牺牲层侧壁形成内侧墙；形成内侧墙之后，回刻暴露出的沟道层；在回刻暴露出的沟

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117672859A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202211058505.4

    (22)申请日2022.08.31

    (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

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