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- 2024-03-09 发布于四川
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本发明公开了一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺,包括以下步骤:S1、清洗:对反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头进行清洗;S2、安装:将反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头安装至工装上;S3、焊接:将工装放置到转台上,随后对反应腔筒身与反应腔水路盖板进行焊接,再依次焊接水路接头与法兰,得到CVD反应腔;S4、检测:采用水压检测装置,使CVD反应腔在0.8MPa水压下保压24h。本发明工艺通过焊接工装将反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头一次性装配,随后进行一次性焊接,避免焊接时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117655470A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311800567.2
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人陕西斯瑞新材料股份有限公司
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