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本发明公开了一种光刻掩模板的制备工艺，包括：基膜制备工序和掩模板成型工序，基膜制备工序包括：利用离子束照射基膜；在基膜的上表面贴装保护膜，在基膜的下表面印刷保护层，保护层具有设定图案的镂空区；蚀刻基膜，形成微孔区；掩模板成型工序，包括：基膜利用粘接层与基板的上表面贴合；溶解与微孔区对应的粘接层；在基板的上表面沉积金属铬层；打磨金属铬层至基膜外露；溶解基膜，在基板形成掩模铬层，掩模铬层由密集的微型结构的铬柱形成，核微孔膜经离子束照射后蚀刻形成，位置精度高，工艺简单，密度可靠，通过控制核微孔膜的通孔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117666281A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311536856.6
(22)申请日2023.11.16
(71)申请人中山新诺科技股份
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