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2024-03-09 发布于四川
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本公开实施例提供一种半导体结构及存储器，涉及半导体技术领域，用于改善热电子诱导穿通效应的技术问题。该半导体结构包括有源区和设置在有源区上的栅极，有源区包括源极区、漏极区和被栅极覆盖的沟道区，源极区和沟道区之间具有第一交界线段；沟道区包括第一沟道区和第二沟道区；在源极区和漏极区之间沿第二方向平移第一交界线段的情况下，第一交界线段经过的区域为第一沟道区；至少部分第二沟道区位于第一沟道区在第一方向的外侧。本公开通过使至少部分第二沟道区位于第一沟道区在第一方向的外侧，以延长载流子迁移的路径，降低热电子诱

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117673124A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211007255.1

(22)申请日2022.08.22

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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