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2024-03-09 发布于四川
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一种微缺陷测量结构及其测量方法，其中测量方法包括：在暗场环境下，对基准晶圆中的各个基准雪崩二极管器件分别多次施加反向参考电压，获取各个基准雪崩二极管器件发生雪崩击穿的第一雪崩概率值；根据若干第一雪崩概率值，获得基准晶圆的基准雪崩概率密度分布；在暗场环境下，对待测晶圆中的各个待测雪崩二极管器件分别多次施加反向参考电压，获取各个待测雪崩二极管器件发生雪崩击穿的第二雪崩概率值；根据若干第二雪崩概率值，获得待测晶圆的待测雪崩概率密度分布；基于待测雪崩概率密度分布和基准雪崩概率密度分布，获得待测晶圆的微缺

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672882A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211007737.7

(22)申请日2022.08.22

(71)申请人中芯国际集成电路

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