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本发明提供一种半导体结构及其制备方式，半导体结构包括衬底，衬底包括位于中心的第一区域以及位于第一区域外围的第二区域；以及位于衬底上的复合缓冲层，复合缓冲层包括第一缓冲层，第一缓冲层中包括C元素，第一缓冲层包括至少一组层叠设置的第一子缓冲层和第二子缓冲层；其中，位于第一区域上的第一子缓冲层的C浓度大于位于第二区域上的第一子缓冲层的C浓度；位于第一区域上的第二子缓冲层的C浓度小于位于第二区域上的第二子缓冲层的C浓度，该复合缓冲层通过两种掺杂方式交替制备而成，从而提高位于衬底边缘以及中心的复合缓冲层中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673136A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211008418.8
(22)申请日2022.08.22
(71)申请人苏州晶湛半导体有限公司
地址2
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