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一种SiC MOSFET振荡抑制电路.pdfVIP

一种SiC MOSFET振荡抑制电路.pdf

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    本发明涉及SiCMOSFET技术领域，具体公开了一种SiCMOSFET振荡抑制电路，针对现有的开关振荡抑制方法驱动设计复杂、抑制效果有限、开关损耗增大的问题，所设计的SiCMOSFET振荡抑制电路包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2以及电容C1，在器件开关暂态过程中，该电路不仅能够很好地箝位器件关断期间漏源极电压超调，而且不会影响器件的开通和关断速度，不会增加开关损耗；该电路主要使用二极管、电阻和电容等无源器件，设计方法非常简单，易于实现；当输入电压或栅极电阻等电

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117674554A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311677555.5

    (22)申请日2023.12.07

    (71)申请人西南交通大学

    地址610031

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