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一种高质量SiC栅氧层的制备方法.pdfVIP

一种高质量SiC栅氧层的制备方法.pdf

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    本发明涉及一种高质量SiC栅氧层的制备方法，包括以下步骤：(1)利用SiH4气体高温热分解反应在清洁的SiC衬底结构表层区域沉积一层致密的Si薄膜层；(2)在氧化气体环境下，对步骤(1)沉积的Si薄膜层进行高温氧化，形成一层SiO2薄膜层；(3)在高温环境下对步骤(2)形成的SiO2薄膜层进行退火，制备高质量致密的栅氧层结构。本发明通过SiH4在SiC表面生长沉积Si薄膜层，通过对Si薄膜层高温氧化生成高质量栅氧化层，避免氧化气体与从SiC直接反应导致SiC/SiO2界面处生成大量的界面态缺陷，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117672823A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311647021.8

    (22)申请日2023.12.04

    (71)申请人厦门紫硅半导体科技有限公司

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