磁性存储结构、磁性存储阵列结构及其控制方法及存储器.pdfVIP

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2024-03-09 发布于四川
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磁性存储结构、磁性存储阵列结构及其控制方法及存储器.pdf

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本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种磁性存储结构、磁性存储阵列结构及其控制方法及存储器，磁性存储结构包括：两个磁性隧道结，磁性隧道结包括固定层和自由层；与磁性隧道结一一对应的自旋轨道耦合层，自旋轨道耦合层位于自由层远离固定层的一侧，第一晶体管和第二晶体管，一自旋轨道耦合层与第一晶体管的源端或漏端电连接，另一自旋轨道耦合层与第二晶体管的源端或漏端电连接；第三晶体管，第一晶体管的源端或漏端与两个磁性隧道结中的固定层均电连接。本公开实施例至少有利于提高磁性隧道结和晶体管在磁性存储结构中的布局密度，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117677202A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211009132.1

(22)申请日2022.08.22

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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