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一种MPCVD设备反应腔的清洁方法.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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一种MPCVD设备反应腔的清洁方法.pdf

    本发明公开了一种MPCVD设备反应腔的清洁方法，采用有机清洁溶液对MPCVD设备的反应腔进行高温熏蒸后，使得黄色的残留附着物软化起皱，其后可以通过无尘布与吸尘装置将反应腔内存残留附着物碎屑以及大部分液体蒸汽去除，最后再进一步对反应腔进行烘烤与刻蚀处理，能够将反应腔中残留的液体蒸汽去除，以及将残留的细微金刚石多晶、烟煤等杂质去除。相对于现有技术，本发明不仅可以将MPCVD设备的反应腔清洁干净，且不会对反应腔的内壁造成损伤，避免了反应腔内壁损伤对MPCVD设备的使用性能产生的影响，提高了MPCVD设

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117654953A

    (43)申请公布日2024.03.08

    (21)申请号202311861815.4B08B5/04(2006.01)

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