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2024-03-09 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，所述基底包括浅沟槽隔离结构及被所述浅沟槽隔离结构限定的有源区；在所述有源区表面形成沟道层；去除所述浅沟槽隔离结构与所述有源区交界区域的所述沟道层，暴露出部分所述有源区；在所述有源区暴露的表面形成绝缘层。本公开实施例提供的半导体结构的制备方法在形成沟道层后去除沟道层厚度较薄的边缘部分，并利用绝缘层进行填充，形成厚度均一高质量的沟道层，大大提高了半导体结构的性能，扩大了以硅锗材料为沟道的半导体结构的适用范围。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672848A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211046045.3

(22)申请日2022.08.30

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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