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多晶硅薄膜制备方法

多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低本钱制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的争论越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600℃,衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简洁。另一类是低温工艺，整个加工工艺温度低于600℃，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但是制备工艺较简单。目前制备多晶硅薄膜的方法主要有如下几种：

低压气相化学气相沉积〔LPCVD〕

这是一种直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍承受的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀、装片容量