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本发明公开了一种碳化硅/硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用,所述复合涂层材料是以半导体碳化硅作为基体,在基体表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后,再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层;所述梯度硼掺杂SiC半导体过渡层,由上至下硼含量梯度降低;所述梯度硼掺杂金刚石半导体层,由下至上硼含量梯度降低。本发明通过在碳化硅表面设置梯度硼掺杂SiC半导体过渡层后,再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层,所制得的半导体复合涂层材料具有良好的导电性、膜基结合性能和高稳定性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117684147A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311833923.0C23C16/56(2006.01)
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