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本发明涉及纳米级信息加密领域，具体涉及一种基于过渡金属硫化物局部氧化异质结构的纳米级信息存储与加密方法。对过渡金属硫化物二维纳米片进行可控氧化：使用纳米级导电探头，按预设的电氧化时间，施加预设的电压，得到生长于过渡金属硫化物二维纳米片表面的过渡金属硫化物‑过渡金属氧化物异质结构；重复若干次，在过渡金属硫化物二维纳米片表面形成由若干个过渡金属硫化物‑过渡金属氧化物异质结构组成的阵列；利用阵列对待加密信息进行编码存储，实现纳米级加密存储。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117688962A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311575441.X
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人杭州电子科技大学
地址3100
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