半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备：包含第一导电型杂质的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第一半导体层，设置在第一半导体层之上，第一导电型杂质的浓度比第一半导体层低；以及第三半导体层，设置在第一半导体层内，氢的浓度为5×1017atoms/cm3以上。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117690964A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202310091263.7H01L21/331(2006.01)

(22)申请日2023.02

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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认证主体北京中献电子技术开发有限公司

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