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半导体器件和制造该半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体器件和制造该半导体器件的方法.pdf

    本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了用于抑制浮置区中的空穴积聚并且改进诸如绝缘栅双极等的半导体器件的开关时间的技术。该半导体器件包括形成在半导体衬底中的沟槽栅极和沟槽发射极，以及形成在半导体衬底中的、被夹持在沟槽栅极与沟槽发射极之间的第一导电类型的浮置区。该浮置区的底部位于沟槽栅极和沟槽发射极底部的下方，并且该浮置区具有晶体缺陷区，该晶体缺陷区包括在该浮置区中在靠近该半导体衬底的上表面的位置处选择性地形成的晶体缺陷。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117690959A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202311103373.7

    (22)申请日2023.08.30

    (30)优先权数据

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