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本发明公开了一种双面散热的氧化镓芯片倒装封装结构及其制备方法和应用，涉及半导体结构技术领域。该结构包括双面散热的氧化镓芯片倒装结构，以及对双面散热的氧化镓芯片倒装结构封装塑封外壳；双面散热的氧化镓芯片倒装结构从上至下依次包括热沉材料层、氧化镓芯片、双面覆铜陶瓷基板以及高导热底板层；氧化镓芯片，采用倒装结构，电极朝下，且通过互连铜柱与双面覆铜陶瓷基板连接；位于氧化镓芯片底部与双面覆铜陶瓷基板之间设有填充层，填充层包裹着互连铜柱。本发明采用双面散热结构能够使芯片产生的热量可以通过封装主体顶部的热沉层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690887A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311558965.8
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人西北工业大学
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