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本发明提供了一种PSRAM相位校准方法及控制器，其控制器包括：系统控制模块、接口控制模块、相位校准模块，其中系统控制模块，用于控制PSRAM控制器的状态；接口控制模块，用于实现PSRAM协议和时序；接口控制模块包括一读延迟链、一写延迟链；写延迟链用以调整写时钟和其他信号的延迟关系，读延迟链用以调整STROBE信号和DQ之间相位关系；相位校准模块使用突发读写命令，通过向PSRAM设备写入特定的数据后读取比较的方式，根据结果计算调整接口控制模块读延迟链和写延迟链，完成相位校准。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115862707A
(43)申请公布日2023.03.28
(21)申请号202211494488.9
(22)申请日2022.11.25
(71)申请人湖南兴芯微电子科技有限公司
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