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细化晶粒尺寸以获得更光滑的BiSb膜表面的新型掺杂工艺.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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细化晶粒尺寸以获得更光滑的BiSb膜表面的新型掺杂工艺.pdf

    本公开总体上涉及包括具有(012)取向的掺杂铋锑(BiSbE)层的自旋轨道转矩(SOT)磁隧道结(MTJ)设备。该设备可包括磁性写入头、读取头或MRAM设备。BiSbE层中的掺杂剂增强(012)取向。可以在织构化层上形成BiSbE层以确保(012)取向，并且可以在BiSbE层上方形成迁移阻挡层以确保锑不迁移通过该结构并污染其它层。也可以存在缓冲层和夹层。缓冲层和夹层可以各自独立地为单层材料或多层材料。缓冲层和夹层抑制锑(Sb)在掺杂BiSbE层内的迁移并提高掺杂BiSbE层的均匀性，同时进一步促

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117694031A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202280049055.4X·徐

    (22)申请日2022.06.30

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