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本发明提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，分别包括单元A和单元B的第一至第四单元；单元A和单元B分别包括：第一至第三Fin结构；第一至第三Fin结构设有第一栅极；单元B的第一栅极一端通过其第一栅极金属与单元A中靠近其第三Fin结构末端的第一金属连接；第一、第四单元的单元A中的第一、第二Fin结构的末端通过各自的第四金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第一、第二Fin结构的首端通过各自的第二金属相互
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113517293A
(43)申请公布日2021.10.19
(21)申请号202110720498.9
(22)申请日2021.06.28
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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