一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法.pdfVIP

一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法.pdf

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本发明涉及一种实现窄峰型温场生长CdZnTe单晶体的装置及方法,装置包括炉膛、加热模块、保温模块和测温模块;所述炉膛内设有用于放置CdZnTe多晶体的支撑杆;加热模块设于炉膛外侧,加热模块沿炉膛轴向分为中部加热模块和端部加热模块,CdZnTe多晶体置于中部加热模块对应辐射的区域;保温模块包括与中部加热模块和端部加热模块分别对应的中部保温模块和端部保温模块;其中,端部保温模块位于端部加热模块外侧;中部保温模块围绕中部加热模块设置并在中部加热模块和炉膛之间开设供中部加热模块热辐射的加热窗口;中部加热

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117684250A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202410024933.8

(22)申请日2024.01.08

(71)申请人上海大学

地址200444

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