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一种半导体膜状扩散源原料研磨装置及研磨方法.pdfVIP

一种半导体膜状扩散源原料研磨装置及研磨方法.pdf

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    本发明属于半导体生产成型设备技术领域，具体涉及一种半导体膜状扩散源原料研磨装置及研磨方法，半导体膜状扩散源原料研磨装置包括机架和研磨机构，还包括取样机构和检测机构；研磨机构包括研磨桶、研磨杵和外罩；取样机构包括取样组件、旋转升降组件和底座，检测机构与所述研磨机构关于所述取样机构对称设置；相比现有技术，本发明的有益技术效果是：(1)通过取样机构和检测机构在半导体膜状扩散源原料研磨过程中，对研磨原料进行取样和检测，实现对原料的研磨状态的实时检测，继而对原料研磨状态实时控制；（2）通过定时取样检测，确

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117680258A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202410043088.9

    (22)申请日2024.01.11

    (71)申请人山东芯源微电子有限公司

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