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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底；源端、栅极结构和漏端由下至上依次堆叠于衬底上，其中，源端沿第一方向延伸，漏端在第一方向上彼此间隔排布；第一隔离材料层位于源端和栅极结构之间；第二隔离材料层部分位于漏端与栅极结构之间；通道层贯穿第一隔离材料层和部分第二隔离材料层，通道层的底面与源端接触，通道层的顶面与漏端接触；栅极介质层位于通道层和栅极结构之间；隔离侧墙位于相邻漏端之间；本发明利于缩小半导体器件的面积且保证半导体器件的电性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690966A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202410050741.4
(22)申请日2024.01.12
(71)申请人福建省晋华集成电
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