碳化硅晶体生长装置.pdfVIP

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2024-03-13 发布于四川
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碳化硅晶体生长装置.pdf

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本申请公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、坩埚盖、籽晶托和限制结构，籽晶托设置在坩埚盖下方，籽晶托下方界定一碳化硅晶体生长的生长腔，坩埚中空底部形成用于放置原料的原料腔，限制结构设置在籽晶托下方，用于限制碳化硅晶体的生长直径，限制结构自上而下包括第一扩径部、竖直生长部和第二扩径部，第一扩径部的内径由上至下逐渐增大，竖直生长部的内径保持不变，第二扩径部的内径由上至下逐渐增大。本申请的碳化硅晶体生长装置解决碳化硅扩径晶体边缘多晶与边缘裂纹、内部应力过大的问题。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117684257A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202311715743.2

(22)申请日2023.12.13

(71)申请人宁波合盛新材料有限公司

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