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本发明公开了一种通过添加乙撑硫脲分子制备高性能钙钛矿太阳电池的方法，在制备太阳电池的钙钛矿吸光层时，在钙钛矿前驱体溶液中添加1.5％～5.4％摩尔浓度的乙撑硫脲分子或/与其衍生物。还公开了一种如上所述的通过添加乙撑硫脲分子制备高新能钙钛矿太阳电池的方法制备的太阳电池，由下而上依次包括衬底、前电极、第一载流子传输层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层和背电极；其中，钙钛矿吸光层中含有所述乙撑硫脲分子或/与其衍生物。本发明能够有效降低钙钛矿薄膜的深层缺陷，显著提升电池性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117693275A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311596140.5H10K30/50(2023.01)
(22)申请日2023.11.
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