一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路.pdfVIP

一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路.pdf

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本发明公开一种基于N沟道MOS管的正线冲击电流抑制电路,涉及供电技术领域,包括功率电阻、NMOS管、输入滤波电容、基准稳压源、延时充电电路、升压电路、分压反馈电路、升压输出滤波电容、浮地电阻以及输出滤波电容;基准稳压源采用稳压管;延时充电电路包括电阻和电容;升压电路包括电感、二极管和升压控制芯片;分压反馈电路包括两个电阻。本发明可精确抑制开机冲击电流峰值,开机后通过功率电阻对线间电容进行充电,可有效抑制开机瞬间的母线冲击电流;通过延时充电驱动置于正线的NMOS管导通,导通后将充电功率电阻旁路,能

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117691847A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202410138099.5

(22)申请日2024.02.01

(71)申请人成都新欣神风电子科技有限公司

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