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基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件.pdfVIP

基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件.pdf

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    本公开提供一种基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件，包括：衬底，介电材料层，以及功能层；介电材料层的制备材料选自含有金属间隙杂质的化合物；其中，选用电方式、热方式、光方式、磁方式中至少一种作用于介电材料层和/或功能层，能够使得介电材料层达到结晶温度而从第一状态转变到第二状态。上述含有金属间隙杂质的介电材料及基于其制成的半导体器件具有制备成本低，矫顽电场可调，低功耗，可靠性高，结构简单，适合大规模集成等优点。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117690958A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202310886393.X

    (22)申请日2023.07.18

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

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