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- 2024-03-13 发布于四川
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本发明属于电学传感器技术领域,具体涉及一种提高栅电极结合力的声表面波传感器的制备方法,包括以下步骤:将铌酸锂基片进行清洗,干燥后,得到预处理的铌酸锂基片;在预处理的铌酸锂基片上旋涂3510T型光刻胶,之后在100~120℃间进行的前烘处理;在前烘处理后的基片的光刻胶上进行光刻,之后进行曝光和显影处理;将显影处理后的基片在120~140℃进行后烘处理;在后烘处理后的基片中旋涂光刻胶的一面,磁控溅射铂金层;将磁控溅射处理后的基片慢慢升温至450~500℃进行热处理;去除热处理后基片中的光刻胶,以形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117686010A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311682303.1
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人西安交通大学
地址710049
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