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本发明涉及一种InP基半导体激光器的制作方法，包括在InP衬底上生长含Al的量子阱材料，并划分出激光器区和无源波导区；去除无源波导区的量子阱材料；在无源波导区的InP衬底上对接生长含Al的刻蚀停止层材料、InP间隔层材料以及无源波导材料；在激光器区的量子阱材料上以及无源波导区的无源波导材料上生长包层InP材料；在包层InP材料上覆上掩膜条；采用ICP刻蚀技术以CH4/H2/O2的气氛组合对激光器区和无源波导区进行刻蚀，激光器区的刻蚀停止于量子阱材料而形成潜脊波导，无源波导区的刻蚀停止于刻蚀停止层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117691470A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311424480.X
(22)申请日2023.10.31
(71)申请人河南承明光电新材料股份有限公司
地
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