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2024-03-13 发布于四川
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一种锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料的制备方法和应用，所述锆基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由锆基体，设置于锆基体表面的Zr‑B化合物梯度过渡层以及设置于Zr‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Zr‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少。本发明通过在锆基体表面设置Zr‑B化合物梯度过渡层后，再于过渡层表面设置梯度硼掺杂金刚石半导体层，所制得的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能和高稳定性。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117684144A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202311833917.5C23C16/56(2006.01)

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