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半导体装置.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明提供减少非对称地产生的偏置电压的霍尔元件。半导体装置具有：具有霍尔元件形成区域的第一导电型的半导体层；浓度比半导体层高且以包围霍尔元件形成区域的方式设置的第一导电型的元件分离区域；以及形成在霍尔元件形成区域的霍尔元件，霍尔元件具备浓度比半导体层高且与元件分离区域隔着半导体层分离设置的第二导电型的磁感受部。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108574040A

    (43)申请公布日

    2018.09.25

    (21)申请号20181

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