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本发明公开了一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，包括以下步骤：分为初次处理和二次处理，最后采用局部粗化的方式将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，然后使用粗化药水对引线框架未被遮挡的区域进行喷淋处理，药水中的成分可以使得该区域表面发生粗化反应；粗化后处理：完成粗化后，需要对引线框架进行清洗，以去除残留的粗化药水和杂质。先镀后蚀可精准的对引线框架进行电镀，避免了“漏镀”的情况发生，从而提高芯片注塑过程中的结合力。使用局部粗化的工艺，将需要粗化的地方直接采用“高粗化”提升产品可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690801A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311721941.X
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人安徽立德半导体材料有限公司
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