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本申请实施例提供了一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质，其中方法包括：根据电涡流传感器采集的测量信号，确定晶圆上金属薄膜的基准厚度，其中，测量信号用于指示金属薄膜上不同位置的测量厚度；根据基准厚度包括的调整参数，确定子调整参数，其中，调整参数包括基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子调整参数；基于子调整参数，对金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，并根据调整后坐标值对测量信号中该采样点对应的信号值进行处理，根据处理后的信号值确定晶圆的金属薄膜的厚度。本申请实施
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117681117A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202410128800.5
(22)申请日2024.01.31
(71)申请人华海清科（北京）科技有限公司
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