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硅片切割工艺及发展趋势

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前言

近年来，由于太阳能行业爆发式增长，半导体材料硅的需求量越来越

大。硅片在光伏产业链中起着承上启下的作用，使用多线切割机加工硅

片，不可避免要损失约三分之一的硅材料。为缓解硅材料供应压力，在

硅片加工环节，各个工厂和研究机构不断尝试更薄硅片加工，从而提高

硅料利用率。

另外，耗材型号的变更并伴随新工艺的使用，也可以降低

硅料切缝损失，从而降低成本。

硅料硅锭硅片电池片组件

内容概要：

•基本工艺流程

•切割原理

•清洗原理

•技术发展方向

基本工艺流程

多晶切片工艺流程:

•开方（破锭）抛光、倒角硅块检测粘接硅片切预

•更新砂浆

•清洗清洗烘干检测包装入库

基本工艺流程：

单晶工艺流程：

切断硅棒检测破锭滚圆、抛光硅块粘接

硅块切割硅片预清洗清洗烘干硅片检测

包装入库

切割原理：

•碳化硅具有锋利的棱角，利用碳化硅磨料滚动摩擦，对硅块磨蚀切割。

•聚乙二醇（切割液）将碳化硅黏合在钢丝上，钢线以一定的速度进行

传送，实现滚动摩擦。

•硅的莫氏硬度：7

•碳化硅的莫氏硬度：9.0-9.2

清洗原理：

•化学：Si+2OH-+H2O==SiO32-+2H2↑

•物理：超声波震动颗粒，喷淋，温度

技术发展方向：

•1、单晶切片往复切割工艺应用

•优势：节约钢线，硅片厚度均匀

•难点：解决线痕深度及宽度对电池印刷的影响，从而避免组件外观不合格。

•2、金刚线开方及切片技术

•优势：硅片TTV大大改善，降低碎片，有利于薄片化。

•难点：硅片表面平滑度不如碳化硅切割的好，线材及工艺需要优化

•3、带硅技术

•优势：避免了切缝损失，硅料利用率高。

•难点：生长的硅片晶粒细小，缺陷密度高，金属含量高，导致电池效率低。

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