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2024-03-16 发布于四川
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一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具.pdf

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本实用新型涉及氧化镓单晶生长技术领域，公开了一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具，所述第一导模板的狭缝面底部设置有第一虹吸倒角，所述第一导模板的下半部板面排布开设有多组第一虹吸排孔，所述第二导模板的狭缝面底部设置有第二虹吸倒角，所述第二导模板的下半部板面排布开设有多组第二虹吸排孔。本实用新型通过利用棱角形式的两组虹吸倒角，能够增加模具底部熔体供液的开口大小，有利于熔体的充分爬升，且通过利用模具上相互错开排列的两排虹吸排孔，其能够形成导通状态，提高与坩埚内熔体的接触面积，使模具狭缝内熔体量充分，保证

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220597691U

(45)授权公告日2024.03.15

(21)申请号202322118696.5

(22)申请日2023.08.08

(73)专利权人青岛芯康半导体科技有限公司

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