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本申请涉及一种增强光输出功率的深紫外LED芯片，包括：外延层，外延层包括缓冲层、N型半导体层、量子阱层、和P型半导体层；N型欧姆接触层，N型欧姆接触层覆盖N型半导体层，与N型半导体层形成欧姆接触；反射电流阻挡层，反射电流阻挡层部分覆盖P型半导体层；P型欧姆接触层，P型欧姆接触层覆盖反射电流阻挡层，且与P型半导体层形成欧姆接触；绝缘层；金属焊盘层。本申请提供的深紫外LED芯片设置有反射电流阻挡层，且反射电流阻挡层对P型半导体层是部分覆盖，反射电流阻挡层将光进行反射，大幅增加出光效果，有效提升光提取
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712255A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311771502.X
(22)申请日2023.12.21
(71)申请人武汉大学
地址430000
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