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本申请实施例涉及一种半导体存储容器的清洁方法及清洁系统。其中，清洁方法包括S21、将容器置于第二清洁腔室内；S22、对第二清洁腔室进行抽真空，使第二清洁腔室的真空度低于第一预设压力值；S23、向第二清洁腔室内以第一体积流量充入气体；S24、向第二清洁腔室内以第二体积流量充入气体，第一体积流量小于第二体积流量，S23期间第二清洁腔室内的最大压力值小于S24期间第二清洁腔室内的最大压力值。本申请实施例提供的清洁方法先小流量气体充入再大流量气体充入，气体分子以较大的速度进入到气孔的同时，将本来位于气孔
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117696566A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410167763.9(51)Int.Cl.
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