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- 2024-03-16 发布于四川
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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成堆叠层于衬底上，所述堆叠层包括沿第一方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层，所述堆叠层包括沿第二方向间隔排布的多个存储区域；去除所述存储区域的部分所述牺牲层，形成位于相邻所述层间绝缘层之间的第一沟槽；形成晶体管结构于所述第一沟槽内，所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712027A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202211095105.0
(22)申请日2022.09.05
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
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