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本发明提供一种集成电路，包括衬底、多个第一栅极结构、顺应保护层、第二栅极结构、源极区与漏极区。衬底具有晶胞区与周边区。多个第一栅极结构配置于晶胞区。顺应保护层包覆每一第一栅极结构的顶面与侧壁。第二栅极结构配置于周边区。源极区与漏极区配置于第二栅极结构两侧的衬底中。另提供一种集成电路的制造方法。本发明可以保护第一栅极结构不受移动离子的干扰，避免移动离子对组件造成损害。此外，在本发明可以有效地控制源极区与漏极区的扩散，将周边区的组件控制在较小的栅极长度，进而可以缩小集成电路中周边区的组件尺寸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111834370A
(43)申请公布日
2020.10.27
(21)申请号20191
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