原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提出了一种氮化镓基半导体激光芯片，其具有电子亲和能梯度、峰值电子漂移速率梯度、形变势梯度和体积弹性模量梯度。本发明能够调控有源层的极化电场，降低空穴注入势垒，调控空空波函数分布，降低空穴溢出有源层，改善空穴准费米能级钉扎，使注入载流子完全转换为激光光子输出，改善远离平衡态相应的对称性破缺，解决阈值处出现不连续或突变的电导上跳、结电压上跳和串联电阻下沉问题。同时，提升有源区载流子饱和后的双极性电导效应，减少有源层的串联电阻，降低激光器的电压和阈值电流密度，并提升激光水平扩展角，降低激射纵模的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712834A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311484296.4
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人安徽格恩半导体有
文档评论（0）