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本发明提出的一种GaN基MOS‑HEMT生物传感器及其制备方法，包括：自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层；势垒层的上表面自左至右依次设置有源极、栅氧化层和漏极；栅氧化层上方设置有栅极，栅极的长度大于栅氧化层的长度；栅氧化层两侧设置有空腔区域，作为传感区域。本发明实现了利用吸附在空腔区域内的目标生物分子所具有的介电常数对器件的栅极电容进行调控，并使得器件内沟道二维电子气浓度以及输出电流发生相应改变，从而实现对生物分子的传感检测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712161A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311733750.5H01L29/423(2006.01)
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