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二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环和干刻设备.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环和干刻设备.pdf

    本申请涉及一种二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环以及干刻设备。二氧化硅抗离子轰击处理方法包括提供二氧化硅基层；向所述二氧化硅基层注入第一离子以形成一次损伤层，所述一次损伤层的强度高于所述二氧化硅基层；向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层，所述二次损伤层的强度高于所述一次损伤层；其中，所述第一离子和所述第二离子在所述二氧化硅基层中能够形成化学键。能够有效减少二氧化硅材料在离子轰击下的损耗，使得经此处理的二氧化硅材料的导向环的使用寿命增加。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117711896A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211085651.6

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司

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