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N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法.pdf

    本发明公开一种N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。NMOS晶体管包含一栅极结构、两个源极/漏极区域、两个非晶部以及一金属硅化物。栅极结构设置于基底上。两个源极/漏极区域设置于基底中且分别位于栅极结构的两侧，其中至少一源极/漏极区域内形成有一差排。两个非晶部分别设置于两个源极/漏极区域内。金属硅化物设置于两个源极/漏极区域上，其中金属硅化物的至少一部分与两个非晶部重叠。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712162A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211093824.9

    (22)申请日2022.09.08

    (71)申请人联华电子股份有限公司

    地址中国

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