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半导体存储装置.pdfVIP

半导体存储装置.pdf

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    实施方式的半导体存储装置具备：多个配线层，在半导体衬底上方介隔绝缘层而积层；第1及第2存储柱，贯通多个配线层；以及多个第1插头，底面分别与多个配线层相接。多个配线层具备：第1阵列区域，供第1存储柱贯通多个配线层；第2阵列区域，供第2存储柱贯通多个配线层；以及连接区域，具有分别与多个第1插头连接的多个连接部。沿着第1方向依次配置第1阵列区域、连接区域、及第2阵列区域。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110277394A

    (43)申请公布日

    2019.09.24

    (21)申请号20181

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