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半导体装置具有：半导体层，具有第1面和第2面；第1导电型的第1半导体区域，设在半导体层中，与第2面接触，包括具有第1最小宽度的第1部分、具有比第1最小宽度小的第2最小宽度的第2部分、以及将第1部分与第2部分连接且具有比第2最小宽度小的第3最小宽度的第3部分；多个第2导电型的第2半导体区域，与第2面接触，在第1半导体区域中相互隔开；第2导电型的第3半导体区域，设在第1半导体区域与第1面间；第1导电型的第4半导体区域，设在第3半导体区域与第1面间；第2导电型的第5半导体区域，设在第4半导体区域与第1
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712139A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202211663952.2H01L29/739(2006.01)
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