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本发明公开了一种可应力调控权重的神经形态器件及其权重调控方法，包括以下步骤：制备底电极或者图案化条形底电极；生长压电半导体材料A；选择生长超薄绝缘层材料；进行初步封装；生长半导体材料B；制备顶电极或者图案化条形顶电极；对器件进行封装保护。其权重调控方法为对器件施加压应力；利用压电效应在压电半导体材料A的界面产生压电电荷，调控载流子的输运、分离和复合行为，从而调控器件的初始电导特性；并可以通过改变应力的大小实现权重的多级调控；且通过沉积不同的半导体的组合应用于不同的领域，实现对宽光谱神经形态器件的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117715499A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311796979.3H10N30/88(2023.01)
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