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披露了一种晶体管(1)，该晶体管包括源极(10)、本体(12)和漏极(14)，晶体管(1)进一步包括多个半导体层(20)，其中，多个半导体层(20)中的层由AlGaN或GaN制成，并且其中，多个半导体层(20)被配置成使得铝含量在每个相继层之间变化，使得每隔一层的铝含量低于其相邻的相互对置层的铝含量，其中，晶体管(1)是以下任一种：N型沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管(1′)，其中，多个半导体层(20)中的一部分是p型掺杂的并且形成NMOS晶体管(1′)的本体(12)的一部分；或P型沟道金属氧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117716511A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202280050855.8(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任
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