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一种碳化硅半导体器件，具有碳化硅衬底和绝缘层，所述碳化硅衬底具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述绝缘层与所述第一主面相接，所述碳化硅衬底在从与所述第一主面垂直的方向俯视观察时，具有活性区域和包围所述活性区域的终端区域，在所述绝缘层中形成有使所述活性区域的一部分露出的开口部，所述碳化硅半导体器件还具有电极，所述电极形成于所述绝缘层之上，并通过所述开口部而与所述第一主面相接，所述绝缘层具有：第一部分，在所述俯视观察时与所述终端区域重叠，且具备第一厚度；第二部分，与所述第一部分相连，并且在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117716512A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202280050942.3(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限
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